Dynamic RAM، متداولترین نوع حافظه در حال حاضر محسوب می گردد. درون یک تراشه dynamic RAM، هر سلول حافظه صرفا” یک بیت اطلاعات را در خود ذخیره نموده و از دو بخش اساسی تشکیل می گردد: یک ترانزیستور و یک خازن. به منظور ذخیره میلیون ها سلول حافظه بر روی یک تراشه از تعداد انبوهی ترانزیستور کوچک و خازن استفاده می گردد. خازن مسئولیت نگهداری صفر و یا یک را برعهده داشته و ترانزیستور به منزله یک سوئیچ است که مدار کنترلی بر روی تراشه را به منظور خواندن خازن و یا تفییر وضعیت آن، مدیریت می نماید. خازن را می توان به منزله یک سطل کوچک در نظر گرفت که قادر به ذخیره الکترون ها می باشد. به منظور ذخیره سازی مقدار یک در حافظه، می بایست سطل فرضی از الکترون ها پر گردد و برای ذخیره مقدار صفر، این سطل می بایست خالی گردد.
مهمترین مشکل سطل فرضی، وجود نشتی و یا سوراخی در آن است که باعث می گردد پس از گذشت مدت زمانی مشخص، خالی گردد. در مدت زمانی کمتر از چند میلی ثانیه، یک سطل پر از الکترون، خالی می گردد. به منظور نگهداری وضعیت خازن و ذخیره سازی مقدار یک قبل از تخلیه خازن، می بایست پردازنده و یا کنترل کننده حافظه، خازن را شارژ نمایند. بدین منظور کنترل کننده حافظه، حافظه را خوانده و آن را مجددا” بازنویسی می نماید. فرآیند فوق که به Refresh معروف است به صورت اتوماتیک در هر ثانیه، هزاران مرتبه تکرار می گردد. علت نامگذاری این نوع از حافظه ها به dynamic به مفهوم فرآیند Refresh برمی گردد. حافظه های dynamic، می بایست به صورت پویا بازخوانی و بازنویسی گردند و گرنه تمامی اطلاعات موجود در آنان از بین خواهد رفت. علاوه بر موارد فوق، عملیات Refresh زمان خاص خود را داشته و باعث می گردد سرعت آنان، کاهش یابد.
